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Center of MicroNanoTechnology CMi

Four CENTROTHERM
Tube 3-4 : MEMS - Oxydation

Table des matires

  1. Introduction
  2. Principe Physique
  3. Capacit de lquipement
  4. Restriction d'accs
  5. Caractristiques techniques
  6. Informations

Tube Oxydation MEMS
Tube d'oxydation ou de traitement thermique divers

I. Introduction Haut CMI

Le tube 3-4 est un tube atmosphrique spcialement ddi

II. Principe Physique Haut CMI

La croissance de l'oxyde de silicium à la surface du silicium mono-cristallin ou polysilicium est obtenue à haute température (typiquement entre 900°C et 1050°C) sous flux de vapeur d'eau. L'oxydation est dite humide (wet oxidation).

2-2_f1

En se basant sur les densités et masses moléculaires du Si et du SiO2 , il est possible de montrer que pour une croissance d'oxyde d'épaisseur d, une couche de silicium d'épaisseur 0,44d a été consommée.

La vitesse de croissance de l'oxyde est fonction de la température, du flux d'oxygène, de l'orientation cristalline et du dopage du silicium. De plus, la vitesse de croissance de l'oxyde n'est pas constante au cours du temps. De manière générale, il est possible de modéliser l'épaisseur de l'oxyde d, en fonction du temps t:

2-2_f2

avec A et B, deux constantes dpendant du substrat et des conditions d'oxydation, et tune constante reprsentant un dcalage temporel permettant de prendre en compte l'paisseur de l'oxyde natif.

Pour des paisseurs d'oxyde de plus de 200 , tpeut tre considr comme tant nul si les plaques de silicium ne sont recouvertes que d'un oxyde natif infrieur 20 . Dans ce cas la connaissance de deux couples de valeurs ( d , t ) permet de dterminer les constantes A et B.

III. Capacit de lquipement Haut CMI

IV. Restrictions d'accs Haut CMI

Chargement dans le tube "MEMS"
Chargement de plaques dans le tube "MEMS"

V. Caractristiques techniques Haut CMI

Temprature.

Gaz de procd.

3-4_schema
Schma de principe du tube MEMS

VI. Informations Haut CMI

Bibliographie :