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Center of MicroNanoTechnology CMi

Four CENTROTHERM
Tube 3-4 : MEMS - Oxydation

Table des matières

  1. Introduction
  2. Principe Physique
  3. Capacité de l’équipement
  4. Restriction d'accès
  5. Caractéristiques techniques
  6. Informations

Tube Oxydation MEMS
Tube d'oxydation ou de traitement thermique divers

I. Introduction Haut CMI

Le tube 3-4 est un tube atmosphérique spécialement dédié

II. Principe Physique Haut CMI

La croissance de l'oxyde de silicium à la surface du silicium mono-cristallin ou polysilicium est obtenue à haute température (typiquement entre 900°C et 1050°C) sous flux de vapeur d'eau. L'oxydation est dite humide (wet oxidation).

2-2_f1

En se basant sur les densités et masses moléculaires du Si et du SiO2 , il est possible de montrer que pour une croissance d'oxyde d'épaisseur d, une couche de silicium d'épaisseur 0,44d a été consommée.

La vitesse de croissance de l'oxyde est fonction de la température, du flux d'oxygène, de l'orientation cristalline et du dopage du silicium. De plus, la vitesse de croissance de l'oxyde n'est pas constante au cours du temps. De manière générale, il est possible de modéliser l'épaisseur de l'oxyde d, en fonction du temps t:

2-2_f2

avec A et B, deux constantes dépendant du substrat et des conditions d'oxydation, et t une constante représentant un décalage temporel permettant de prendre en compte l'épaisseur de l'oxyde natif.

Pour des épaisseurs d'oxyde de plus de 200 Å, t peut être considéré comme étant nul si les plaques de silicium ne sont recouvertes que d'un oxyde natif inférieur à 20 Å. Dans ce cas la connaissance de deux couples de valeurs ( d , t ) permet de déterminer les constantes A et B.

III. Capacité de l’équipement Haut CMI

IV. Restrictions d'accès Haut CMI

Chargement dans le tube "MEMS"
Chargement de plaques dans le tube "MEMS"

V. Caractéristiques techniques Haut CMI

Température.

Gaz de procédé.

3-4_schema
Schéma de principe du tube MEMS

VI. Informations Haut CMI

Bibliographie :