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Center of MicroNanoTechnology CMi

Four CENTROTHERM
Tube 2-1 : Densification et oxydation thermique sèche

Table des matires

  1. Introduction
  2. Principe Physique
  3. Capacit de lquipement
  4. Restriction d'accs
  5. Caractristiques techniques
  6. Informations

Tube Densification
Tube Densification

I. Introduction Haut CMI

Le tube 2-1 est un tube atmosphérique dédié d'une part à la densification (par recuit) de couches d'oxyde de silicium (SiO2) ou nitrure de silicium (SixNyHz) déposées par LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) ou PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) et d'autre part à l'oxydation sèche de substrats en silicium, de couches de silicium amorphe ou de couches de polysilicium dopées ou non dopées.

II. Principe Physique Haut CMI

La croissance de l'oxyde de silicium à la surface du silicium mono-cristallin ou polysilicium est obtenue à haute température (typiquement entre 850°C et 1050°C) sous flux d'oxygène. L'oxydation est dite sèche (dry oxidation).

2-1_f1

En se basant sur les densités et masses moléculaires du Si et du SiO2 , il est possible de montrer que pour une croissance d'oxyde d'épaisseur d, une couche de silicium d'épaisseur 0,44d a été consommée. La vitesse de croissance de l'oxyde est fonction de la température, du flux d'oxygène, de l'orientation cristalline et du dopage du silicium. De plus, la vitesse de croissance de l'oxyde n'est pas constante au cours du temps. De manière générale, il est possible de modéliser l'épaisseur de l'oxyde d, en fonction du temps t:

2-1_f2

avec A et B, deux constantes dpendant du substrat et des conditions d'oxydation, et tune constante reprsentant un dcalage temporel permettant de prendre en compte l'paisseur de l'oxyde natif.

Pour des paisseurs d'oxyde de plus de 200 , tpeut tre considr comme tant nul si les plaques de silicium ne sont recouvertes que d'un oxyde natif infrieur 20 . Dans ce cas la connaissance de deux couples de valeurs ( d , t ) permet de dterminer les constantes A et B.

III. Capacit de lquipement Haut CMI

IV. Restrictions d'accs Haut CMI

Chargement dans le tube Densification
Chargement de plaques dans le tube Densification

V. Caractristiques techniques Haut CMI

Temprature.

Gaz de procd.

2-1_schema
Schma de principe du tube Densification

VI. Informations Haut CMI

Bibliographie :