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Center of MicroNanoTechnology CMi

Four CENTROTHERM
Tube 1-4 : Dopage par POCl3

Table des matires

  1. Introduction
  2. Principe Physique
  3. Capacit de lquipement
  4. Restriction d'accs
  5. Caractristiques techniques
  6. Informations

Tube POCl3
Tube Dopage POCl3

I. Introduction Haut CMI

Le tube 1-4 est un tube atmosphérique dédié au dopage du silicium ou des couches de polysilicium.

Le dopage du polysilicium est utilisé communément dans les procédés VLSI (Very Large Scale Integration) pour en diminuer la résistivité.

Le polysilicium fortement dopé est utilisé comme interconnections, faiblement dopé il permet de réaliser des résistances. Le polysilicium utilisé comme matériau "structurel" pour les microsystèmes (moteurs, poutres, ...) nécessite d'être dopé et présenter la résistivité minimale pour permettre l'application des forces électrostatiques aux parties motrices.

II. Principe Physique Haut CMI

Le dopage du polysilicium est réalisé en deux étapes.

La première étape consiste à créer un oxyde fortement dopé en phosphore à la surface du silicium ou du polysilicium. Cette étape est réalisée à une température entre 900°C et 1100°C sous flux d'oxygène (O2) et d'azote (N2) ayant barboté dans un récipient contenant le POCl3.

1-4_f1

La seconde étape consiste à faire diffuser le phosphore de l'oxyde vers le polysilicium. Cette étape est réalisée à une température entre 900°C et 1100°C sous flux d'azote (N2).

III. Capacit de lquipement Haut CMI

IV. Restrictions d'accs Haut CMI

Chargement dans le tube POCl3
Chargement de plaques dans le tube POCl3

V. Caractristiques techniques Haut CMI

Temprature.

Gaz de procd.

1-4_schema
Schma de principe du tube POCl3

VI. Informations Haut CMI

Bibliographie :