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Center of MicroNanoTechnology CMi

Four CENTROTHERM
Tube 1-2 : LPCVD Nitrure de Silicium

Table des matières

  1. Introduction
  2. Principe Physique
  3. Capacité de l’équipement
  4. Restriction d'accès
  5. Caractéristiques techniques
  6. Informations

Tube Nitrure
Tube LPCVD Nitrure de silicium

I. Introduction Haut CMI

Le tube 1-2 est dédié aux dépôts de couche de nitrure de silicium par LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition).

Le nitrure de silicium (Si3N4) est utilisé communément dans les procédés VLSI (Very Large Scale Integration) comme couche de passivation et de protection mécanique des circuits intégrés. La valeur élevée de sa constante diélectrique relative (εr=6 à 7) par rapport à celle de l'oxyde de silicium LTO (Low temperature Oxide) (εr=4.3) le rend moins intéressant comme matériau d'isolation entre les niveaux conducteurs de par la capacité parasite induite plus importante. Le nitrure de silicium est aussi utilisé lors de la fabrication des microsystèmes comme couche isolante électriquement, comme barrière à l'attaque chimique de l'acide fluorhydrique (HF) ou de la potasse (KOH), comme membrane,... Le nitrure de silicium enrichi en silicium permet d'obtenir des couches à faibles contraintes internes (Low Stress Silicon Nitride) ayant de plus la propriété d'être plus résistant au HF que le nitrure standard.

II. Principe Physique Haut CMI

Le nitrure de silicium est déposé par  la décomposition thermique du dichlorosilane (SiH2Cl2) réagissant avec l'ammoniac (NH3) dans la gamme de température  allant de 700°C à 840°C. La réaction chimique du nitrure de silicium stœchiométrique peut s'écrire en définitive de la manière suivante :

Cette réaction peut s'écrire en définitive de la manière suivante :

1-2_f1

La réaction chimique de dépôt du nitrure de silicium enrichi Si à faibles contraintes internes est :

1-2_f2

III. Capacité de l’équipement Haut CMI

IV. Restrictions d'accès Haut CMI

Chargement dans le tube nitrure
Chargement de plaques dans le tube LPCVD SiN

V. Caractéristiques techniques Haut CMI

Température.

Gaz de procédé.

Gaz de purge.

Pression.

1-2_schema
Schéma de principe du tube nitrure de silicium

VI. Informations Haut CMI

Bibliographie :