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Center of MicroNanoTechnology CMi

Four CENTROTHERM
Tube 1-2 : LPCVD Nitrure de Silicium

Table des matires

  1. Introduction
  2. Principe Physique
  3. Capacit de lquipement
  4. Restriction d'accs
  5. Caractristiques techniques
  6. Informations

Tube Nitrure
Tube LPCVD Nitrure de silicium

I. Introduction Haut CMI

Le tube 1-2 est ddi aux dpts de couche de nitrure de silicium par LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition).

Le nitrure de silicium (Si3N4) est utilis communment dans les procds VLSI (Very Large Scale Integration) comme couche de passivation et de protection mcanique des circuits intgrs.La valeur leve de sa constante dilectrique relative (εr=6 à 7) par rapport celle de l'oxyde de silicium LTO (Low temperature Oxide) (εr=4.3) le rend moins intressant comme matriau d'isolation entre les niveaux conducteurs de par la capacit parasite induite plus importante. Le nitrure de silicium est aussi utilis lors de la fabrication des microsystmes comme couche isolante lectriquement, comme barrire l'attaque chimique de l'acide fluorhydrique (HF) ou de la potasse (KOH), comme membrane,... Le nitrure de silicium enrichi en silicium permet d'obtenir des couches faibles contraintes internes (Low Stress Silicon Nitride) ayant de plus la proprit d'tre plus rsistant au HF que le nitrure standard.

II. Principe Physique Haut CMI

Le nitrure de silicium est déposé par  la décomposition thermique du dichlorosilane (SiH2Cl2) réagissant avec l'ammoniac (NH3) dans la gamme de température  allant de 700°C à 840°C. La réaction chimique du nitrure de silicium stœchiométrique peut s'écrire en définitive de la manière suivante :

Cette raction peut s'crire en dfinitive de la manire suivante :

1-2_f1

La réaction chimique de dépôt du nitrure de silicium enrichi Si à faibles contraintes internes est :

1-2_f2

III. Capacit de lquipement Haut CMI

IV. Restrictions d'accs Haut CMI

Chargement dans le tube nitrure
Chargement de plaques dans le tube LPCVD SiN

V. Caractristiques techniques Haut CMI

Temprature.

Gaz de procd.

Gaz de purge.

Pression.

1-2_schema
Schma de principe du tube nitrure de silicium

VI. Informations Haut CMI

Bibliographie :