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Center of MicroNanoTechnology CMi

Four CENTROTHERM
Tube 1-1 : LPCVD Polysilicium

Table des matières

  1. Introduction
  2. Principe Physique
  3. Capacité de l’équipement
  4. Restriction d'accès
  5. Caractéristiques techniques
  6. Informations

Tube PolySi
Tube LPCVD Polysilicium

I. Introduction Haut CMI

Le tube 1-1 est dédié aux dépôts de couche de silicium polycristallin (ou polysilicium) et de silicium amorphe par LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition).

Le polysilicium est utilisé communément dans les procédés VLSI (Very Large Scale Integration) pour la réalisation des grilles de transistor MOS (Metal Oxide Semiconductor) dans un procédé de fabrication auto-aligné. Fortement dopé, il est utilisé comme interconnexions dans les procédés MOS grâce à sa compatibilité avec les étapes hautes températures qui suivent. Faiblement dopé, il permet de réaliser des résistances. Le polysilicium est aussi utilisé comme matériau "structurel" pour les microsystèmes (moteurs, poutres, ...). Le polysilicium peut être dopé après dépôt pour diminuer sa résistivité.

La surface du silicium amorphe est moins rugueuse que celle du polysilicium qui est constitué de grains, mais sa vitesse de dépôt est beaucoup plus faible

II. Principe Physique Haut CMI

Le polysilicium et silicium amorphe sont déposés par  la décomposition thermique du silane (SiH4) dans la gamme de température  allant de 525°C à 650°C. La réaction chimique de dépôt du polysilicium à partir du silane se décompose en trois étapes :

1-1_f1

Cette réaction peut s'écrire en définitive de la manière suivante :

1-1_f2

III. Capacité de l’équipement Haut CMI

IV. Restrictions d'accès Haut CMI

V. Caractéristiques techniques Haut CMI

Température.

Gaz de procédé.

Gaz de purge.

Pression.

1-1_schema
Schéma de principe du tube polysilicium

VI. Informations Haut CMI

Bibliographie :