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Center of MicroNanoTechnology CMi

Four CENTROTHERM
Tube 1-1 : LPCVD Polysilicium

Table des matires

  1. Introduction
  2. Principe Physique
  3. Capacit de lquipement
  4. Restriction d'accs
  5. Caractristiques techniques
  6. Informations

Tube PolySi
Tube LPCVD Polysilicium

I. Introduction Haut CMI

Le tube 1-1 est ddi aux dpts de couche de silicium polycristallin (ou polysilicium) et de silicium amorphe par LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition).

Le polysilicium est utilis communment dans les procds VLSI (Very Large Scale Integration) pour la ralisation des grilles de transistor MOS (Metal Oxide Semiconductor) dans un procd de fabrication auto-align. Fortement dop, il est utilis comme interconnexions dans les procds MOS grce sa compatibilit avec les tapes hautes tempratures qui suivent. Faiblement dop, il permet de raliser des rsistances. Le polysilicium est aussi utilis comme matriau "structurel" pour les microsystmes (moteurs, poutres, ...). Le polysilicium peut tre dop aprs dptpour diminuer sa rsistivit.

La surface du silicium amorphe est moins rugueuse que celle du polysilicium qui est constitu de grains, mais sa vitesse de dpt est beaucoup plus faible

II. Principe Physique Haut CMI

Le polysilicium et silicium amorphe sont dposs par la dcomposition thermique du silane (SiH4) dans la gamme de temprature allant de 525C 650C. La raction chimique de dpt du polysilicium partir du silane se dcompose en trois tapes :

1-1_f1

Cette raction peut s'crire en dfinitive de la manire suivante :

1-1_f2

III. Capacit de lquipement Haut CMI

IV. Restrictions d'accs Haut CMI

V. Caractristiques techniques Haut CMI

Temprature.

Gaz de procd.

Gaz de purge.

Pression.

1-1_schema
Schma de principe du tube polysilicium

VI. Informations Haut CMI

Bibliographie :